该器件是集成 FET 的同步降压稳压器,主要设计 用于 DDR 终止。它可以提供 1/2 V 的稳压输出DDQ具有 Sink 和 Source 功能。该设备采用 D-CAP+ 模式作 提供易用性、低外部元件数量和快速瞬态 响应。该器件还可用于其他负载点 (POL) 调节 需要高达 6 A 电流的应用。此外,该器件还支持全 6-A、 输出灌电流能力,具有严格的电压调节。
*附件:tps53317.pdf
该器件具有两种开关频率设置(600 kHz 和 1 MHz), 集成 Droop 支持、外部跟踪功能、预偏置启动、 输出软放电、集成自举开关、电源良好功能、V5IN 引脚 UVLO 保护,并支持陶瓷和 SP/POSCAP 电容器。它 支持高达 6.0 V 的输入电压,输出电压可在 至 2.0 伏
该器件采用 3.5 mm × 4 mm、20 引脚 VQFN 封装(绿色 符合 RoHs 标准且无铅),采用 TI 专有的集成 MOSFET 和封装 技术,额定温度范围为 –40°C 至 85°C。
特性
- TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术
- 支持具有高达 6A 连续输出拉电流或灌电流的 DDR 存储器终端
- 外部跟踪
- 最少的外部元件数量
- 至 6V 转换电压
- D-CAP+ 模式架构
- 支持所有 MLCC 输出电容器和 SP/POSCAP
- 可选 SKIP 模式或强制 CCM
- 优化轻负载和重负载下的效率
- 可选 600kHz 或 1MHz 开关频率
- 可选过流限制 (OCL)
- 过压、过热和打嗝欠压保护
- 可调输出电压:低至 2 V
- 3.5 mm × 4 mm、20 引脚 VQFN 封装
参数

方框图

1. 产品概述
- 型号:TPS53317
- 类型:6-A输出,D-CAP+模式,同步降压转换器
- 应用:主要用于DDR内存终端,也适用于其他需要1-V至6-V转换电压调节的应用,最大负载电流可达6A
2. 主要特性
- 集成MOSFET:采用TI专有集成MOSFET和封装技术
- D-CAP+模式:提供易用性、低外部组件数量和快速瞬态响应
- 支持DDR内存终端:具有源和汇能力
- 转换电压范围:1-V至6-V
- 输出电流:连续输出源或汇电流高达6A
- 开关频率:可选600kHz或1MHz
- 保护功能:过压、过温、打嗝式欠压保护
- 封装:3.5mm x 4mm,20引脚VQFN封装(绿色RoHS合规)
3. 引脚配置与功能
- VIN:电源输入引脚
- VOUT:输出电压监测引脚
- EN:使能引脚(3.3-V逻辑兼容)
- MODE:模式选择引脚,允许选择不同的操作模式
- PGOOD:开漏电源良好输出
- REFIN:外部跟踪参考输入
- V5IN:5-V电源输入,用于模拟电路和门驱动
- BST:自举引脚,连接0.1-μF自举电容
- COMP:补偿引脚,连接R-C-C网络进行环路补偿
- SW:开关节点输出
- GND:模拟地
- PGND:功率地
4. 电气特性
- 输入电压范围:VIN为-0.1V至6.5V,V5IN为4.5V至6.5V
- 输出电压范围:VOUT、MODE、REFIN为-0.1V至3.5V
- 工作温度范围:-40°C至85°C
- 效率:在不同输入电压和输出电流下,效率可达90%以上
- 过流限制:正过流限制(OCL)为7.6A或5.4A(取决于模式选择),负OCL为-9.3A或-6.5A
- 软启动时间:默认设置为1.6ms
5. 功能描述
- PWM操作:在稳态下,转换器以连续导通模式(CCM)操作,通过电流反馈和误差放大器输出控制开关时间
- 自适应导通时间控制:控制器根据输入和输出电压变化导通时间,以保持近似恒定的频率
- 轻载省电功能:自动脉冲跳过模式,减少轻载时的开关损失,提高效率
- 电源良好信号:PGOOD引脚在输出电压稳定后变为高电平,用于指示电源正常
- 过压和欠压保护:防止输出电压过高或过低,保护系统电子元件
- 热保护:内部温度传感器在结温达到145°C时关断转换器,防止过热损坏
6. 应用与实施
- 配置选择:支持非跟踪和跟踪配置,非跟踪配置下输出电压由内部参考电压分压得到,跟踪配置下输出电压由外部REFIN引脚决定
- 设计步骤:包括确定配置、选择电感、确定输出电容、输入电容、补偿网络设计等
- 布局指南:提供详细的布局指南,包括旁路电容的放置、功率地的连接、反馈和补偿组件的放置等
7. 封装与订购信息
- 封装类型:20引脚VQFN封装,尺寸为3.5mm x 4mm
- 订购信息:提供了详细的订购信息和包装材料信息
8. 注意事项
- 在设计和实施过程中,应严格遵循数据手册中的推荐条件和布局指南
- 注意静电放电(ESD)防护,避免损坏集成电路
- 在实际应用中,应根据具体需求选择合适的外部组件和配置