LM74502 LM74502H 是一款控制器,可与外部背靠背连接的 N 沟道 MOSFET 配合使用,以实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。该器件还可以配置为驱动高压侧 MOSFET,作为具有过压保护功能的负载开关。3.2 V 至 65 V 的宽电源输入范围允许控制许多常用的直流总线电压,例如 12 V、24 V 和 48 V 输入系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。LM74502 LM74502H 没有反向电流阻塞功能,仅适用于输入反极性保护。
*附件:lm74502h.pdf
LM74502控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚为低电平时,控制器关闭并消耗大约 1 μA 的电流,因此在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502 和 LM74502H 提供可编程的过压和欠压保护,在发生这些故障事件时切断输入源的负载。这些器件采用 2.9 mm × 1.6 mm 8 引脚 DDF 封装,额定温度范围为 –40°C 至 +125°C。
特性
- 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
- –65V 输入反向电压额定值
- 用于驱动的集成电荷泵
- 外部背靠背 N 沟道 MOSFET
- 外部高边开关 MOSFET
- 外部反极性保护 MOSFET
- 栅极驱动型号
- LM74502:60μA 峰值栅极驱动源容量
- LM74502H:11mA 峰值栅极驱动源容量
- 2.3A 峰值栅极灌电流容量
- 使能引脚功能
- 45μA 典型工作静态电流(EN/UVLO = 高)
- 1μA 关断电流(EN/UVLO = 低)
- 可调的过压和欠压保护
- -40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 采用 8 引脚 SOT-23 封装,2.90 mm × 1.60 mm
参数

方框图

概述
LM74502H是一款低静态电流(IQ)高侧开关控制器,具有反向极性和过压保护功能。该设备适用于工厂自动化、工业电机驱动、工业运输以及电源反向极性保护等应用。LM74502H通过外部背对背连接的N沟道MOSFET实现低损耗的反向极性保护和负载断开功能,同时也可配置为驱动高侧MOSFET作为具有过压保护功能的负载开关。
主要特性
- 宽输入电压范围:3.2V至65V(启动电压3.9V)
- 高反向电压额定值:-65V
- 集成电荷泵:驱动外部N沟道MOSFET、高侧开关MOSFET或反向极性保护MOSFET
- 两种门极驱动变体:
- LM74502:60μA峰值门极驱动源能力
- LM74502H:11mA峰值门极驱动源能力
- 低静态电流:45μA(典型值),关断电流1μA
- 可调过压和欠压保护
- 工作温度范围:-40°C至+125°C
- 小型封装:8引脚SOT-23,2.90mm × 1.60mm
应用
- 工厂自动化和控制(如PLC数字输出模块)
- 工业电机驱动
- 工业运输
- 电源反向极性保护
功能描述
- 输入电压(VS) :用于为LM74502H的内部电路供电,设计可承受-65V至+65V的电压范围。
- 电荷泵(VCAP) :为外部N沟道MOSFET提供必要的栅极驱动电压,通过外部电容充电。
- 门极驱动(GATE, SRC) :控制外部N沟道MOSFET,LM74502H提供两种门极驱动变体,适用于不同的应用需求。
- 使能(EN/UVLO) :允许通过外部信号启用或禁用门极驱动器,EN/UVLO引脚可承受高达±65V的电压。
- 过压保护(OV) :通过OV引脚提供可编程的过压保护功能,当OV引脚电压超过设定阈值时,关闭栅极驱动。
设备功能模式
- 关断模式:当EN/UVLO引脚电压低于指定阈值时,LM74502H进入关断模式,门极驱动器和电荷泵均被禁用。
- 导通模式:当满足特定条件时,LM74502H进入导通模式,门极驱动器启用,外部MOSFET完全导通。
典型应用电路
- 提供了反向极性保护和负载断开的典型应用电路,展示了如何使用LM74502H与背对背连接的N沟道MOSFET实现反向极性保护。
- 还展示了如何使用LM74502H作为高侧开关驱动器,实现快速开关和过压保护功能。
布局指南
- 建议将GATE和SRC引脚与MOSFET的栅极和源极引脚紧密连接。
- 使用厚铜迹线以减少源极和漏极的电阻损耗。
- 电荷泵电容应远离MOSFET放置,以降低热效应对电容值的影响。
文档支持
- 提供了数据手册、应用指南和相关应用笔记的支持链接。
- 用户可以订阅文档更新通知,以获取最新产品信息。
通过以上总结,用户可以全面了解LM74502H的主要特性、应用、功能描述、设备功能模式、典型应用电路、布局指南以及文档支持。