TPS24750 2.5V 至 18V、3mΩ、0.01-12A 电子保险丝，带用于外部阻断 FET 和闭锁的驱动器数据手册

TPS2475x 为 2.5 V 至 18 V 应用提供高度集成的负载保护。这些器件在单个封装中集成了热插拔控制器和功率 MOSFET，适用于小尺寸应用。这些器件可保护源极、负载和内部 MOSFET 免受潜在的破坏性事件的影响。在启动期间，负载电流和 MOSFET 功率耗散被限制在用户选择的值。启动后，将允许高于用户选择限值的电流流动，直到编程超时 - 除非在极端过载事件中负载立即与电源断开。
*附件：tps24750.pdf

可编程 FET SOA 保护确保内部 MOSFET 始终在其安全工作区 （SOA） 内运行，并且负载以定义的斜坡速率启动。这增强了内部 MOSFET 性能，同时提高了系统可靠性。提供电源正常、故障和电流监控输出，用于系统状态监控和下游负载控制。

这些器件采用 36 引脚、7mm × 3.5mm QFN （RUV） 封装，额定工作结温范围为 –40°C 至 +125°C。

特性

• 2.5 V 至 18 V 总线作
• 连续电流高达 12 A
• 带 R 的集成 MOSFET DS（开） 3 mΩ（典型值）
• 可编程电流限制
• 可编程 FET SOA 保护
• 高 I限制精度从 10 mA 到 12 A
• 可编程故障定时器
• 用于短路保护的快速断路器
• 可编程 VOUT 转换速率、UV 和 OV
• 电源正常和故障输出
• 模拟负载电流监视器
• 热关断

参数

方框图

1. 产品概述

TPS24750是一款12A eFuse电路保护器，集成了热插拔控制器和功率MOSFET，适用于2.5V至18V的应用。该器件提供高度集成的负载保护，防止源、负载和内部MOSFET受到潜在损坏事件的影响。

2. 主要特性

• ‌高集成度‌：集成了热插拔控制器和功率MOSFET，适用于小型封装应用。
• ‌宽电压范围‌：支持2.5V至18V的总线操作。
• ‌大电流能力‌：连续电流高达12A。
• ‌可编程特性‌：包括电流限制、FET安全工作区保护、故障定时器等。
• ‌快速保护‌：具有短路保护的快速断路器功能。
• ‌系统监控‌：提供电源良好、故障和负载电流监控输出。

3. 应用领域

• 服务器
• 高电流负载开关
• 通信设备
• 插件模块
• RAID系统
• 基站
• 风扇控制

4. 功能描述

4.1 保护功能

• ‌热插拔保护‌：在启动期间限制负载电流和MOSFET功耗。
• ‌短路保护‌：检测到短路时快速关断MOSFET。
• ‌过压和欠压保护‌：通过可编程阈值提供过压和欠压保护。

4.2 监控功能

• ‌电源良好输出‌：当内部FET的漏源电压低于150mV时，PGb引脚拉低。
• ‌故障输出‌：在过载或短路故障期间，FLTb引脚拉低。
• ‌负载电流监控‌：通过IMON引脚提供模拟负载电流监控。

4.3 可编程特性

• ‌电流限制‌：通过R_SET和R_IMON电阻可编程。
• ‌FET安全工作区保护‌：确保内部MOSFET始终在其安全操作区域内工作。
• ‌故障定时器‌：通过TIMER引脚连接的电容可编程，控制过载故障的超时时间。

5. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：36引脚VQFN封装（RUV）
• ‌尺寸‌：7.00mm x 3.50mm

6. 典型应用电路

• 提供了详细的典型应用电路图，包括元件选择和设计步骤，以帮助用户实现所需的功能和保护特性。

7. 设计指南

• ‌元件选择‌：根据应用需求选择合适的R_SET、R_IMON、R_PROG和C_TIMER等元件值。
• ‌布局建议‌：关键信号路径应尽可能短，以减少寄生电感和电阻。旁路电容应尽可能靠近VCC和OUT引脚。
• ‌热设计‌：确保TPS24750的结温不超过最大允许值，通过适当的散热设计和布局来实现。

8. 文档与支持

• 提供了相关的技术文档、设计资源、应用笔记、社区支持和工具链接，以帮助用户更好地设计和应用TPS24750。