UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 拉电流和 6A 灌电流峰值电流。它设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。
输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1850V 的工作电压。
*附件:ucc21530.pdf
该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个具有可编程死区时间 (DT) 的半桥驱动器。EN 引脚拉低可同时关闭两个输出,并允许在保持开路或拉高时正常运行。作为故障安全措施,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
该器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 至 18V 的宽输入 VCCI 范围使驱动器适合与模拟和数字控制器连接。所有电源电压引脚均具有欠压锁定 (UVLO) 保护。
特性
- 通用:双低侧、双高侧或半桥驱动器
- 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
- 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
- 切换参数:
- 33ns 典型传播延迟
- 20ns 最小脉冲宽度
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
- 高达 25V VDD 输出的驱动电源
- 可编程重叠和死区时间
- 结温范围 –40 至 +150°C
- 安全相关认证(计划):
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
- 5.7kVRMS 隔离,持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
- 符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
参数

方框图

一、产品概述
UCC0是一款隔离型双通道门驱动器,设计用于驱动IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET,最高可达MHz的开关频率。该驱动器具备A源电流和6A沉电流能力,适用于多种电源供应和电机驱动拓扑结构。
二、主要特性
- 隔离与保护:.kV RMS的强化隔离屏障,最小5V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)。
- 灵活配置:可作为双低边、双高边或半桥驱动器使用,支持可编程死区时间。
- 宽输入范围:VCCI输入电压范围3V至8V,适合与数字和模拟控制器接口。
- 高可靠性:具备欠压锁定(UVLO)保护,防止因供电电压不足而损坏设备。
- 宽工作温度范围:支持-0°C至+°C的工作温度范围。
三、应用领域
- 太阳能串列和中央逆变器
- AC-to-DC和DC-to-DC充电桩
- AC逆变器和伺服驱动器
- AC-to-DC和DC-to-DC电源传输
- 能量存储系统
四、功能描述
- 可编程死区时间:通过DT引脚和接地电阻设置死区时间,防止半桥应用中的直通现象。
- 使能引脚:EN引脚低电平关断两个输出,高电平或悬空时正常工作。
- UVLO保护:所有供电电压引脚(VCCI、VDDA、VDDB)均具备UVLO保护,确保在电压不足时关断输出。
- 输出特性:输出阶段采用P沟道MOSFET和额外的N沟道MOSFET并联结构,提供高峰值源电流和沉电流。
五、典型应用
文档提供了UCC0在半桥配置中驱动MOSFET的典型应用电路,包括设计要求和详细设计步骤。设计步骤涵盖了输入滤波器设计、死区时间电阻和电容选择、栅极驱动器输出电阻选择、栅极驱动器功率损耗估计、结温估计以及VCCI和VDD电容选择等内容。
六、电源推荐
- 推荐VCCI输入电压范围为V至V。
- VDDA和VDDB的推荐电压范围取决于UVLO版本,最高可达5V。
- 需要在VDD和VSS之间、VCCI和GND之间分别连接旁路电容,以支持高峰值电流。
七、布局指南
- 旁路电容放置:旁路电容应尽可能靠近相应的电源引脚,以最小化ESL和ESR。
- 接地设计:将高峰值电流限制在最小物理区域,以减小环路电感和最小化噪声。
- 高压隔离:确保隔离性能,避免在驱动器下方放置PCB走线或铜层。
- 热设计:增加连接到VDDA、VDDB、VSSA和VSSB引脚的PCB铜层面积,以改善热性能。