LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5109A 是一款经济高效的高压栅极驱动器，旨在驱动 高侧和低侧 N 沟道 MOSFET，采用同步降压或半桥配置。 浮动高压侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出为 通过 TTL 兼容输入阈值独立控制。强大的电平转换技术 高速运行，同时功耗低，并提供从 控制 input logic 到 highside gate driver。欠压锁定在 低侧和高侧电源轨。该器件采用 SOIC 和 thermal 两种封装 增强的 WSON 程序包。
*附件：lm5109a.pdf

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
• 1A 峰值输出电流 （1.0A 灌电流 / 1.0A 拉电流）
• 独立的 TTL 兼容输入
• 自举电源电压至 108V DC
• 快速传播时间（典型值为 30 ns）
• 以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000 pF 负载
• 出色的传播延迟匹配（典型值为 2 ns）
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 引脚兼容 ISL6700
• 行业标准 SOIC-8 和热增强型 WSON-8 封装

参数

方框图

一、产品概述

LM9A是一款高压栅极驱动器，专为驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET而设计。该驱动器具有独立的TTL兼容输入、高电压自举能力、快速传播时间和低功耗特性。

二、主要特性

• ‌高电压能力‌：支持高达V的自举供电电压。
• ‌独立输入控制‌：高侧（HI）和低侧（LI）控制输入独立，TTL兼容。
• ‌快速传播时间‌：典型值为0ns。
• ‌低功耗‌：在禁用状态下具有较低的静态电流。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：低侧和高侧电源轨均具备UVLO保护功能。
• ‌高峰值输出电流‌：高达A的峰值拉/灌电流。

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正栅极驱动电源引脚。
• ‌HI‌：高侧控制输入引脚。
• ‌LI‌：低侧控制输入引脚。
• ‌VSS‌：地参考引脚，所有信号均参考此地。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出引脚。
• ‌HS‌：高侧MOSFET源极连接引脚。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出引脚。
• ‌HB‌：高侧栅极驱动器正电源轨引脚。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V，HB为VS+8V至VS+4V。
• ‌输入阈值‌：HI和LI引脚的低电平输入电压阈值为.V，高电平输入电压阈值为.V。
• ‌输出电流‌：LO和HO引脚的峰值拉/灌电流均为A。
• ‌传播延迟‌：LO和HO引脚的关断和开启传播延迟典型值为0ns至6ns。
• ‌UVLO阈值‌：VDD的UVLO阈值为6.0V至.V，HB的UVLO阈值为.V至7.1V。

五、功能描述

• ‌启动与UVLO保护‌：在VDD或HB电压低于UVLO阈值时，驱动器禁用输出，保护MOSFET免受损坏。
• ‌电平移位‌：内部电平移位电路允许高侧输入控制高侧驱动器，同时提供与低侧驱动器的优秀延迟匹配。
• ‌输出阶段‌：高侧和低侧输出阶段均具有高转换速率和低内阻，适合高效开关MOSFET。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：适用于电流馈电推挽转换器、半桥和全桥功率转换器、固态电机驱动等。
• ‌设计要点‌：包括自举电容和VDD旁路电容的选择、外部栅极驱动电阻的选取、布局和接地考虑等。
• ‌应用曲线‌：提供了不同条件下的输出特性曲线，帮助设计者优化电路性能。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供SOIC-8和WSON-封装选项。
• ‌订购代码‌：提供了不同封装和状态的订购代码选项。