LM5104系列 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5104 高压栅极驱动器旨在驱动高侧和 采用同步降压配置的低侧 N 沟道 MOSFET。浮动高边驱动器可以 可在高达 100 V 的电源电压下工作。高侧和低侧栅极驱动器由 单个 input。状态的每次变化都以自适应方式进行控制，以防止击穿 问题。除了自适应过渡时序之外，还可以添加额外的延迟时间， 与外部设置电阻器成比例。提供集成高压二极管 对高侧栅极驱动自举电容器充电。坚固的电平转换器高速运行 同时功耗低，并提供从控制逻辑到 高端栅极驱动器。低侧和高侧均提供欠压锁定 电源轨。该器件采用标准 SOIC 和 WSON 封装。
*附件：lm5104.pdf

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
• 具有可编程
  附加延迟的自适应上升沿和下降沿
• 单输入控制
• 自举电源电压范围高达 118V DC
• 快速关断传播延迟（典型值为 25ns）
• 以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
• 电源轨欠压锁定
• SOIC 和 WSON-10 4mm × 4mm 封装

参数

方框图

一、产品概述

LM是一款高压半桥栅极驱动器，设计用于驱动同步降压配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。该驱动器具有自适应上升和下降边缘，可编程附加延迟，以及高达V的浮动高侧驱动能力。

二、主要特性

• ‌高压能力‌：支持高达V的供电电压。
• ‌自适应延迟‌：防止高侧和低侧MOSFET同时导通（射通）。
• ‌可编程延迟‌：通过外部电阻设置附加延迟时间。
• ‌集成高压二极管‌：用于为高侧栅极驱动自举电容充电。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：保护低侧和高侧电源轨。
• ‌快速关断传播延迟‌：典型值为ns。
• ‌单输入控制‌：高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。

三、引脚功能

• ‌VDD‌：正栅极驱动供电。
• ‌HB‌：高侧栅极驱动器自举轨。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出。
• ‌HS‌：高侧MOSFET源极连接。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出。
• ‌VSS‌：地返回。
• ‌IN‌：控制输入。
• ‌RT‌：死区时间编程引脚。
• ‌NC‌：未连接引脚。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V，HB为VS+V至VS+V。
• ‌UVLO阈值‌：VDD的欠压锁定阈值为.V至.V，HB的欠压锁定阈值为.V至.V。
• ‌输入阈值‌：低电平输入电压阈值为.V至.V，高电平输入电压阈值为.V至.V。
• ‌输出特性‌：高侧和低侧栅极驱动器具有高电平输出电流和低电平输出电流能力，峰值电流可达.A和.A。

五、功能描述

• ‌自适应射通保护‌：通过监测低侧栅极电压并在适当时间启用高侧栅极驱动，防止射通。
• ‌启动和UVLO‌：UVLO电路确保在供电电压足够之前不会启用驱动器输出。
• ‌可编程死区时间‌：通过RT引脚上的外部电阻设置死区时间，防止高侧和低侧MOSFET同时导通。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：包括电流馈电推挽功率转换器、高压降压调节器、有源钳位正向功率转换器等。
• ‌设计指南‌：提供了自举电容选择、死区时间设置、布局和热管理等方面的设计建议。

七、布局与热管理

• ‌布局指南‌：推荐使用低ESR/ESL电容靠近IC，并保持短而宽的接地路径以减少寄生电感和电阻。
• ‌热管理‌：通过估算最坏情况下的结温来确保可靠的长期操作，利用暴露的热焊盘进行有效散热。

八、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供SOIC（引脚）和WSON（引脚）封装选项。
• ‌订购代码‌：包括不同封装选项的订购代码，如LMM/NOPB（SOIC封装）和LMSD/NOPB（WSON封装）。