GPU猛兽袭来！HBM4、AI服务器彻底引爆！

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）日前，多家服务器厂商表示因AI服务器需求高涨拉高业绩增长。随着AI服务器需求旺盛，以及英伟达GPU的更新换代，势必带动HBM供应商的积极产品推进。三星方面HBM3E/HBM4有了新进展，SK海力士的HBM4性能更强。同时，DDR4的陆续减产，更多资源投向了DDR5和HBM。
 
AI服务器带动业绩增长
 
戴尔科技发布2026财年第一财季（截至2025年5月2日）业绩报告。数据显示，第一财季戴尔营收达233.8亿美元，同比增长5%，non-GAAP下，营业利润为17亿美元，同比增长10%。得益于收入增长和运营支出下降，净利润同比增长13%至11亿美元。
 
戴尔第一财季服务器和网络收入达63亿美元，创历史新高，且市场对AI优化服务器的需求空前高涨。戴尔首席运营官杰夫·克拉克表示：“仅本季度，我们就获得了121亿美元的 AI 订单，超过了2025 财年全年的出货量，目前我们还有144亿美元的订单积压。”
 
戴尔预估，第二财季AI服务器将出货约70亿美元。相比之下，戴尔过去每季AI服务器出货约为31亿美元。今年2月，戴尔预估全财年AI服务器营收预计约150亿美元，与去年度的98亿美元相比，大幅成长超50%。
 
富士康是英伟达AI服务器制造商，得益于AI服务器销售强劲，第一季度营收同比增长24.2%，创同期历史新高。预计第二季度将实现显著同比增长，其中AI服务器业务将呈现两位数高增长，量产爬坡速度加快。其1-3月净利润达421.2亿新台币（13.9亿美元），高于分析师平均预估的378亿新台币。
 
英伟达近期表示，今年下半年将转向Blackwell Ultra芯片，Blackwell Ultra GPU配备12层HBM3e显存，实现8TB/s内存带宽。2026年下半年将出货Vera Rubin。Vera CPU的内存是Grace的4.2倍，内存带宽是Grace的2.4倍。Rubin GPU由两个GPU组成一个单芯片，将配备288GB的HBM4。Vera Rubin之后名为Vera Rubin Ultra的芯片，将Vera CPU和Rubin Ultra芯片（Rubin Ultra由四个GPU组成）结合，将于2027年下半年上市。
 
三星、SK海力士积极备战HBM
 
外媒消息称，目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证，现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证，但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。在一季度财报会议上，三星电子曾表示，下半年将扩大增强型12层堆叠HBM3E产品的销售。
 
韩国业界人士指出，若三星2025年无法供应12层HBM3E给英伟达，其2026年的HBM策略将势必要大幅修正，甚至可能放弃该HBM3E产品，转而专注第六代HBM（HBM4）。
 
SK海力士全球首款16层堆叠的HBM3E产品，带宽达到1.2TB/s。预计将应用于NVIDIA最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群产品。
HBM4进展方面，此前SK海力士向公众展示了其最新一代HBM4高带宽内存技术。根据官方介绍，SK海力士HBM4单颗容量最高可达48GB，带宽高达2.0TB/s，I/O速度达到8.0Gbps。公司计划在2025年下半年实现HBM4的大规模量产。
 
而三星已与多家客户合作，开发基于HBM4和增强型HBM4E的定制版本，计划于今年下半年实现量产，预计将于2026年开始商业供应。
 
当前，SK 海力士和美光采用1b DRAM制造HBM4 ，而据韩媒报道，三星直指更先进的 1c DRAM。三星计划在韩国华城和平泽扩大 1c DRAM（第六代 10nm 级）生产，相关投资将在年底前启动。三星还考虑在今年底前将华城 17 号生产线从 1z DRAM 转为 1c DRAM 生产，以进一步扩大产能。
 
三星今年早些时候已在平泽第四园区（P4）启动首条 1c DRAM 生产线，目标月产能为 3 万片晶圆。若后续扩建顺利，月产能有望提升至4万片。
 
DDR4减产，转向DDR5/HBM
 
三星、美光、SK海力士从去年开始缩减DDR4产能。三星从2025年4月起停止生产1y和1z纳米工艺的8GB DDR4产品，最后订单截止日期为6月。SK海力士在2024年第3季DDR4生产比重已由第2季40%降至30%，第4季计划进一步降低至20%。而美光也通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块。
 
随着DDR4的减产，产能将转到DDR5、LPDDR5、HBM等产品上。美光在最新财报中表示，公司专注于在现有制造设备中增加HBM产能，以满足2026年的市场需求。今年4月，美光进行了业务部门重组，新成立了向超大规模云客户提供内存解决方案、为数据客户中心客户提供HBM的云内存业务部。美光称，此次重组的背景是高性能内存和存储在推动AI发展方面越来越重要。
 
HBM的热度也反映在设备投资上面。据SEMI最新报告，随着半导体前端及后端制程投资扩大，带动设备市场增长，2024年全球半导体制造设备投资额达1171亿美元，比上年增长10%。半导体前端设备领域，晶圆加工和其他设备投资同比增长分别9%和5%，后端封装设备和测试设备投资也分别增长25%和20%。后端主要是由于对高带宽存储器（HBM ）的需求增加，导致对基本工艺设施的投资增加。
 
集邦咨询 TrendForce 预测，受强劲需求推动，2026 年HBM总出货量将突破300亿吉比特，HBM4将在2026年下半年超越 HBM3e，成为市场主流解决方案。