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2012年第2季度模拟应用期刊
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2018-05-08
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由于电源效率变得越来越重要，我们必须使用更高的开关速度来降低损耗。然而，开关速度提高以后，我们必须要考虑进行一些折中选择，例如 电磁干扰(EMI)的随之增加。同步降压转换器中，高速开关场效应晶体管(FET)在开关节点会有巨大的电压过冲和振铃。振铃的大小与高侧MOSFET的开关速度以及布局和FET封装的杂散电感有关。我们必须注意选择正确的电路和布局设计方法，以将这种振铃维持在同步FET最大绝对额定值以下。
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