TPS54622器件采用热增强型 3.5mm × 3.5mm VQFN 封装,是一款功能齐全的 17V、6A 同步降压转换器,通过高效率针对小型设计进行了优化,并集成了高侧和低侧 MOSFET。通过电流模式控制(减少元件数量)和选择高开关频率(减少电感器的占用空间),可以进一步节省空间。
*附件:tps54622.pdf
输出电压启动斜坡由 SS/TR 引脚控制,该引脚允许作为独立电源运行或在跟踪情况下运行。通过正确配置 enable 和 open-drain power good 引脚,也可以实现电源排序。
高侧 FET 上的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件,并通过防止电流失控的低侧拉电流限制得到增强。还有一个低侧灌电流限制,用于关闭低侧 MOSFET,以防止过大的反向电流。如果过流情况持续的时间超过预设时间,则会触发打嗝保护。当芯片温度超过热关断温度时,热打嗝保护会禁用器件,并在内置热关断打嗝时间后再次启用该器件。
特性
- 集成 26mΩ 和 19mΩ MOSFET
- 分离电源轨:1.6 V 至 17 V(PVIN)
- 200kHz 至 1.6MHz 开关频率
- 与 External Clock 同步
- 0.6V ±1% 电压基准过温
- 打嗝电流限制
- 单调启动至预偏置输出
- –40°C 至 150°C 工作结温范围
- 可调慢启动和电源排序
- 用于欠压和过压的电源良好输出监视器
- 可调输入欠压锁定
参数

方框图

1. 产品概述
- 型号:TPS54622
- 功能:高效率、高集成度的同步降压(Buck)DC-DC转换器
- 封装:3.5mm x 3.5mm VQFN,带裸露散热焊盘
- 输入电压范围:4.5V至17V
- 输出电压范围:1.6V至17V(通过PVIN引脚)
- 最大输出电流:6A
2. 主要特性
- 集成MOSFETs:高侧和低侧均集成,分别具有26mΩ和19mΩ的RDS(on)
- 开关频率:200kHz至1.6MHz可调,支持外部时钟同步
- 保护功能:过流保护、过热保护、欠压锁定、输出过压保护等
- 软启动与电源良好输出:支持慢启动和电源排序,具有电源良好(PWRGD)输出
- 高效率:适用于高密度分布式电源系统和高性能点负载调节
3. 引脚功能
- BOOT:引导电容引脚,为高侧MOSFET提供栅极驱动电压
- COMP:误差放大器输出,连接频率补偿
- EN:使能引脚,浮空启用,可通过电阻分压器调整输入欠压锁定
- GND:地引脚
- PH:开关节点
- PVIN:功率输入引脚,为功率开关供电
- PWRGD:电源良好故障引脚,输出低电平表示故障
- RT/CLK:自动选择RT模式或CLK模式,通过外部电阻调整开关频率或同步外部时钟
- SS/TR:慢启动和跟踪引脚,通过外部电容设置内部电压参考上升时间
- VIN:控制电路供电引脚
- VSENSE:误差放大器反相输入引脚
4. 电气特性
- 电压参考:0.6V ±1%
- 高侧开关电阻:BOOT-PH = 3V时32.6mΩ,BOOT-PH = 6V时26.4mΩ
- 低侧开关电阻:VIN = 12V时19mΩ至30mΩ
- 热关断温度:典型值175°C,迟滞10°C
- 过流保护:高侧开关电流限制阈值8A至11.4A,低侧开关源电流限制6.5A至10A,低侧开关漏电流限制2A至3.4A
5. 功能描述
- 固定频率PWM控制:采用峰值电流模式控制,简化外部频率补偿
- 连续电流模式操作:作为同步降压转换器,在所有负载条件下正常工作于连续导通模式(CCM)
- 安全启动:设计为防止低侧MOSFET对预偏置输出放电,具有单调启动特性
- 错误放大器:具有1300μA/V的跨导,用于比较VSENSE引脚电压与内部电压参考
- 过压保护:通过比较VSENSE引脚电压与过压阈值来最小化输出过压瞬态
- 热关断与热迟滞:当结温超过热关断阈值时,设备停止切换,并在结温降低后重新启动
6. 应用信息
- 典型应用:包括高密度分布式电源系统、高性能点负载调节、宽带、网络和光通信基础设施等
- 设计工具:提供WEBENCH® Power Designer工具,支持自定义设计和电气/热仿真
7. 布局与PCB设计建议
- 布局紧凑:所有组件应尽可能靠近相关引脚,以最小化传导和辐射EMI
- 电流环路:主功率电流环路(包括CIN、VIN、PH、L、COUT和CIN的返回路径)的面积应最小化
- 热管理:利用PCB的接地平面进行散热,并考虑使用宽走线来传导热量
8. 封装与材料信息
- 封装类型:VQFN(RHL),带裸露散热焊盘
- 引脚数量:14
- 材料信息:提供无铅选项,符合RoHS标准