CSD95372BQ5M 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级数据手册

CSD95372BQ5M NexFET™ 智能功率级是一种高度优化设计，用于高功率、高密度同步降压转换器。本产品集成了驱动 IC 和功率 MOSFET，以完成功率级开关功能。 这 组合可在小型封装中产生高电流、高效率和高速开关能力5 毫米× 6 毫米外形封装。它还集成了精确的电流检测和温度传感功能，以简化系统设计并提高精度。此外，PCB封装已经过优化，有助于缩短设计时间并简化整体系统设计。
*附件：csd95372bq5m.pdf

特性

• 60 A 连续工作电流能力
• 30 A 时系统效率为 93.4%
• 30 A 时功耗低至 2.8 W
• 高频工作（高达 1.25 MHz）
• 带FCCM的二极管仿真模式
• 温度补偿双向电流
  检测
• 模拟温度输出（0°C时为600 mV）
• 故障监控
  • 高侧短路、过流和
    过温保护
• 兼容 3.3 和 5V PWM 信号
• 三态 PWM 输入
• 集成自举二极管
• 优化的死区时间，用于射穿保护
• 高密度 SON 5 × 6 mm 封装
• 超低电感封装
• 系统优化的PCB封装
• 符合 RoHS 标准 – 无铅端子电镀
• 无卤素

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌高性能参数‌：支持60A连续工作电流，系统效率达93.4%（30A时），功率损耗仅2.8W（30A）。
• ‌高频操作‌：支持最高1.25MHz开关频率，集成二极管仿真模式（FCCM可调）。
• ‌监测保护‌：
  • 温度补偿双向电流检测
  • 模拟温度输出（0°C时600mV）
  • 故障保护（高侧短路、过流、过热）
• ‌兼容性‌：支持3.3V/5V PWM信号，集成自举二极管，优化死区时间防止直通。
• ‌封装‌：5×6mm SON超低电感封装，符合RoHS无铅标准。

‌2. 典型应用‌

• 多相同步降压转换器（高频/大电流场景）
• 负载点（POL）DC-DC转换器
• 内存/显卡供电
• 桌面/服务器VR11.x/VR12.x核心电压转换

‌3. 功能描述‌
集成驱动IC与功率MOSFET，提供高密度、高效率的电源解决方案。关键功能包括：

• ‌电流/温度检测‌：通过IOUT和TAO引脚实现精准监测。
• ‌工作模式‌：
  • 强制连续导通模式（FCCM=HIGH）
  • 二极管仿真模式（FCCM=LOW）
• ‌保护机制‌：ENABLE引脚控制开关，故障时TAO拉高至3.3V报警。

‌4. 电气参数‌

• ‌极限值‌：VIN≤25V，VSW≤20V，结温范围-55°C~150°C。
• ‌推荐条件‌：VDD=4.5~5.5V，VIN≤16V，开关频率≤1.25MHz。

‌5. 封装与订购‌

• ‌封装规格‌：LSON-CLIP（5×6mm），支持13英寸/7英寸卷带封装。
• ‌型号选项‌：
  • CSD95372BQ5M（标准版，2500片/卷）
  • CSD95372BQ5MT（小卷带，250片/卷）

‌6. 设计支持‌

• 提供优化PCB布局建议（如0.1μF自举电容配置）。
• 典型应用图展示多相控制器连接方案。