安世半导体两款产品入围2025年度全球电子成就奖评选

全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）是电子产业界享有盛誉的年度奖项，旨在评选并表彰对全球电子产业创新做出突出贡献的企业与产品。该奖项以其权威性和国际影响力，成为衡量企业创新实力的重要标尺。

2025年度WEAA评选现已进入白热化阶段，安世半导体（Nexperia）凭借其领先的技术实力，两款重磅功率产品创新型铜夹片CCPAK1212封装 NextPower 80/100 V MOSFET与顶部散热型X.PAK封装的1200 V SiC MOSFET成功入围“ 年度功率半导体 ”奖项候选名单！

入围明星产品

01创新型铜夹片CCPAK1212封装 NextPower 80/100 V MOSFET

这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度和可靠的解决方案。所有器件封装均已在JEDEC注册，并配备Nexperia交互式数据手册，便于无缝集成。

·  应用市场  ·

非常适合电机控制、电源、可再生能源系统、人工智能服务器热插拔功能以及其他对电力需求较高的应用。

02顶部散热型X.PAK封装的1200 V SiC MOSFET

该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此款产品精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性能表现。

·  应用市场  ·

适合电动汽车充电基础设施、光伏逆变器、开关电源、不间断电源和电动机驱动。

安世半导体始终致力于为全球客户提供高效、可靠的半导体解决方案，推动技术创新与产业升级。您的认可对我们至关重要！

Nexperia (安世半导体) 

Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 

Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

Nexperia：效率致胜。