Toshiba推出TOLL封装650V第三代SiC MOSFET

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，搭载最新[1] 第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备，如开关式电源和用于光伏发电机的功率调节器。“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”这三款MOSFET即日起开始批量出货。

新产品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，器件体积减少80%以上，设备功率密度也得以改善。

TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2]，有助于降低开关损耗。作为四端子[3]封装，可将开尔文连接用作栅极驱动的信号源端子。这可以减少封装内的源极引线电感的影响，实现高速开关性能；以TW048U65C为例，其开通损耗和关断损耗分别比现有Toshiba产品[5]降低约55%和25%[4]，有助于降低设备功率损耗。

Toshiba将继续扩展产品阵容，为提升设备效率和增加功率容量做出贡献。

第三代SiC MOSFET封装阵容
类型	封装
通孔型	TO-247
	TO-247-4L(X)
表面贴装型	DFN8×8
	TOLL

注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 具有靠近FET芯片连接的信号源端子的产品。
[4] 截至2025年8月，Toshiba测量值。详情请参见Toshiba网站发布版本中的图1。
[5] 采用无开尔文连接TO-247封装的具有同等电压和导通电阻的650V第三代SiC MOSFET。

应用领域

服务器、数据中心、通信设备等的开关式电源

电动汽车充电站

光伏逆变器

不间断电源

产品特点

表面贴装TOLL封装：支持设备小型化与自动化组装。开关损耗低。

Toshiba第三代SiC MOSFET：
- 优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷积
- 低二极管正向电压：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)

主要规格
（除非另有说明，否则Ta=25℃）
部件编号				TW027U65C	TW048U65C	TW083U65C
封装	名称			TOLL
	尺寸(mm)		典型值	9.9×11.68×2.3
绝对 最大 额定值	漏源电压 VDSS (V)			650
	栅源电压 VGSS (V)			-10至25
	漏极电流（直流）ID (A)	Tc=25°C		57	39	28
电气 特性	漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ)	VGS=18V	典型值	27	48	83
	栅极阈值电压 Vth (V)	VDS=10V		3.0至5.0
	总栅极电荷 Qg (nC)	VGS=18V	典型值	65	41	28
	栅漏电荷 Qgd (nC)	VGS=18V	典型值	10	6.2	3.9
	输入电容 Ciss (pF)	VDS=400V	典型值	2288	1362	873
	二极管正向电压 VDSF (V)	VGS=-5V	典型值	-1.35
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