东芝推出三款最新650V SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。

三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。

此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]，从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

第3代SiC MOSFET封装产品线

 

测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω

续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较）

图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

应用

服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源

电动汽车充电站

光伏逆变器

不间断电源

特性

表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗

东芝第3代SiC MOSFET

1）通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性

2）低漏源导通电阻×栅漏电荷

3）低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

主要规格

（除非另有说明，Ta＝25°C）

注：

[1] 截至2025年8月。

[2] 电阻、电感等。

[3] 一种信号源终端靠近FET芯片连接的产品。

[4] 截至2025年8月，东芝测量的值。请参考图1。

[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的第3代650V SiC MOSFET。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

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