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利用ISE—TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:252 | 2010-04-26

万物死

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摘要传统的ES D保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验，这种方法不利于产品的推 出…。  文中提出使用I S E — T C A D工具对E S D保护电路进行模拟和优化，以快速地获取面积参数。并以某一典 型0 .6 m   C MO S工艺的可控硅整流器 ( S C R)结构为例，进行E S D人体放电模型的模拟和面积估算，达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。 
关键词 ：静电保护；I S E— TCAD；可控硅整流器

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