×

一种新型P阱NMOS功率集成电路制作技术

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:95 | 2010-05-08

分享资料个

摘要：提出一种新型的P阱NMOS功率集成电路制作技术。理论分析表明，该技术可以比较地实现VDMOS FET与P阱NMOS电路的兼容集成。实验结果表明，利用该技术获得的器件结构具有良好的击穿特性。
关键词：集成电路 功率集成电路 VDMOS FET
下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !