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存储阵列中的串扰分析及脉冲产生电路设计

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:157 | 2010-05-10

微风挽雨

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摘要：在SRAM存储阵列的设计中，经常会遇到相邻信号线与电路节点间耦合引起的串扰问题。针对这个问题给出位线“间隔译码”的组织结构，有效地降低了存储器读写时寄生RC所带来的串扰。同时，针对该“间隔译码”的存储阵列结构，设计了脉冲产生电路，该电路只需要利用行地址的变化来生成充电脉冲，不仅简化了电路的规模，而且减小了读写操作时存储阵列中单元之间的串扰，提高了可靠性。
关键词：耦合；间隔译码；串扰；SRAM
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