又一国产SiC MOSFET上车！

电子发烧友网综合报道 最近，湖南三安半导体举行了碳化硅芯片上车仪式，标志着国产车规级碳化硅主驱芯片实现从技术攻关到规模化装车的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片成功搭载理想高压平台车型，不仅验证了其在性能、可靠性与批量交付能力上的市场认可度，更通过与理想汽车的深度协同，构建起 “芯片自主 + 模块自研” 的国产新能源汽车核心动力解决方案。
 
作为国内为数不多具备 SiC 全产业链垂直整合能力的企业，三安半导体此次上车的碳化硅芯片背后，是覆盖长晶、衬底制备、外延生长、芯片制造的全流程技术积淀。该 1200V 13mΩ 车规级 SiC MOSFET 作为第三代产品，通过元胞结构优化，将导通损耗较前代产品降低 18.75%，在 100A 工作电流下导通损耗仅为 13W，显著提升电驱系统效率。其核心技术优势源于三安在 8 英寸衬底领域的突破，湖南基地目前已实现 8 英寸衬底月产能 1000 片、外延月产能 2000 片，低缺陷密度工艺为芯片性能稳定性提供了关键保障。
 
依托 IATF16949 体系认证与 AEC-Q101 车规级产品认证，三安碳化硅芯片已累计出货超 3 亿颗，服务全球超 800 家客户，规模化制造经验确保了对理想汽车的稳定供应。湖南三安总经理江协龙强调，全产业链模式让企业在产品迭代、质量管控与交付效率上形成独特优势，此次上车正是 “车规化、平台化、高效能、全链自主” 核心战略的实践成果。
 
此次芯片成功装车，是双方自 2022 年启动合作以来的重要里程碑。当年，三安与理想合资成立苏州斯科半导体有限公司，投资 10 亿元建设碳化硅功率模块研发生产基地，规划年产能 240 万只碳化硅半桥功率模块，形成 “芯片制造 - 模块集成 - 整车应用” 的闭环布局。2024 年底，合资公司一期产线正式通线，为此次规模化装车奠定产能基础；2025 年 6 月，理想在 TMC2025 年会上发布自研 LPM 功率模块后，双方加速芯片与模块的适配优化，最终实现核心部件的同步落地。
 
理想汽车动力驱动研发副总裁刘强表示，三安在第三代半导体领域的战略布局，为理想纯电产品的技术迭代提供了关键支撑。在技术交流中，双方团队围绕碳化硅芯片在电驱系统、充电效率及平台化应用的深度探讨，进一步明确了基于三安 8 英寸衬底技术，将为理想高压平台车型开发提供持续助力。仪式上，湖南三安赠送的8英寸 SiC MOSFET 芯片成品，既彰显了技术自信，更预示着合作向更深层次推进。
 
三安碳化硅芯片的卓越性能，在理想自研 LPM 功率模块中得到充分释放。这款历时 3 年半研发的模块，以系统级能效优化为核心，通过四大技术创新将等效串联电感（ESL）降至 10nH，较行业平均水平降低 50%，配合三安芯片的低损耗特性，共同实现整车续航提升 7%。其中芯片本身贡献 6%（约 40 公里）提升，模块优化额外带来 1%（约 7 公里）增益。
 
理想 LPM 模块的革命性设计尤为亮眼：其独创内部开窗架构，彻底取消外露功率端子与螺栓连接，通过高精度 AMB 直接激光焊工艺实现电容与铜排的精准嵌套，使模块占地面积缩减 50%，Y 向尺寸减小 40mm，为后排乘客释放宝贵空间。这种跨层级集成设计，需要芯片性能与模块结构的深度适配，而三安芯片的稳定输出与灵活定制能力，为该创新提供了坚实基础。此外，模块搭载的封闭铜冷板、全自动化组装工艺及 72 项极端工况验证，进一步保障了三安芯片在整车场景下的可靠性。
 
此次合作的落地，不仅打破了国际厂商在高端车载碳化硅芯片领域的垄断，更构建了车企与半导体企业深度协同的国产创新模式。三安通过 8 英寸产线产能爬坡与良率提升，持续降低碳化硅器件成本，而理想的模块自研则推动核心技术向应用端高效转化，两者形成的合力正在加速 800V 高压平台的普及。数据显示，搭载该方案的理想车型可支持 300 千瓦以上超快充功率，实现 10 分钟补能 500 公里的用户体验。
 
展望未来，三安半导体计划在未来三至五年持续加大车规级 SiC MOSFET 与 GaN 研发投入，重庆基地 2000片/月的 8 英寸衬底产能也将逐步释放；理想汽车则将在纯电车型中全系应用该技术方案，并深化与三安在下一代芯片与模块集成上的合作。随着国产碳化硅产业链从材料、芯片到模块应用的全面成熟，中国新能源汽车产业正实现核心动力部件的自主可控。