新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展

新品

CoolSiC G2 1200V MOSFET

采用顶部散热Q-DPAK封装

 

第二代CoolSiC 1200V MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，提供4mΩ和5mΩ两种导通电阻规格，广泛适用于的工业应用，包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源、固态断路器、工业驱动、人工智能以及商用电动车等。

 

Q-DPAK封装凭借其卓越的热性能简化了组装流程，降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件支持更优化的PCB布局，有助于降低寄生参数和杂散电感的影响，同时提供更优的热管理能力。

 

产品型号：

■ IMCQ120R004M2H

■ IMCQ120R005M2H

 

 

 

产品特性

 

SMD顶部散热封装

低杂散电感

采用CoolSiC MOSFET 1200V G2技术，具备增强的开关性能和更优的优值系数

.XT扩散焊

极低的导通电阻

封装CTI>600，并设有模具沟槽（CD>4.8mm）

优异的耐湿性

具备雪崩、短路及功率循环耐受鲁棒性

 

应用价值

 

更高的功率密度

支持自动化组装

简化设计

相比底部散热封装，热性能表现卓越

降低系统功率损耗

可在污染等级2条件下支持950V RMS电压

高可靠性

优化成本

 

竞争优势

 

提升功率密度

相比底部散热器件，热性能显著提升

电气设计更简化

 

应用领域

 

电动汽车充电

太阳能发电

不间断电源

固态断路器

工业驱动

人工智能

商用电动车