新品 | 混合碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200V G2（TO-247PLUS 4引脚封装）

新品

混合碳化硅CoolSiC MOSFET 

1200V G2（TO-247PLUS 4引脚封装）

 

CoolSiC MOSFET 1200V G2混合碳化硅分立器件，采用 TO-247 4引脚封装，融合了第二代MOSFET技术搭配一颗用于软开关的1200V、发射极控制型第7代 （EC7）硅二极管，专为太阳能最大功率点跟踪（MPPT）级设计，英飞凌创新式解决方案为紧凑、可靠且高性价比的系统提供更优异的性能。

 

产品型号：

■ IMY120R036CM2H

■ IMY120R036AM2H

■ IMY120R018CM2H

 

 

产品框图

 

 

产品特性

 

VGS = 18 V, Tvj = 25°C 条件下，导通电阻 RDS(on) = 18mΩ 和 36 mΩ

反向极性保护二极管

Tc = 100°C 时，二极IF = 50A和75A

极低的开关损耗

基准栅极阈值电压 4.2V

可靠的抗寄生导通能力

 

应用价值

 

通用封装，可从IGBT或SiC MOS无缝切换

更优的能效

优化的性能表现

易于使用

 

竞争优势

 

高度可靠性

更高功率密度

集成反向极性保护二极管

 

应用领域

 

组串式逆变器