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K9F1G08UOM存储器芯片的数据手册免费下载
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2019-06-04
sweet1984
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三星 K9F1GXXX0M 提供了 128M*8Bit/64M*16Bit 的存储容量，另外还有 32 M 的空闲存储器，它是采用 NAND 技术的大容量、高可靠的 Flash 存储器。它对 2112 字节一页（*8device）或者 1056 字（*16device）一页的写操作。典型时间是 300 微秒。对 128 字节／64K 字一块的擦除时间是 50 纳秒。输出引脚可以作为数据／地址／命令复用。每一页的数据读出时间也很快，平均每个字节只需 50 纳秒。片内的写控制器，可以自动执行写操作和擦除功能，包括必要的脉冲产生器，内部校验和冗余数据。K9F1G08 提供了实时映像算法的纠错码，写操作系统可以利用 K9F1G08U0M 扩展的 100K 编程/擦除。K9F1G08U0M 为大容量存储，新型电可擦写的非易失性半导体存储器，提供了最优方案。
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