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RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究
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2011-01-01
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摘 要:利用RFMEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2GHz的MEMSVCO器件.RFMEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMSVCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107dBc/Hz,此相位噪声性能优于他们与90年代末国外同频率器件.并与采用GaAs超突变结变容二极管的VCO器件进行了比较,说明由于集成了RFMEMS可变电容,使得在RFMEMS可变电容的机械谐振频率近端时,MEMSVCO的相位噪声特性发生了改变.
关键词:RFMEMS;可变电容;Q值;压控振荡器;单边带相位噪声
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