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NCP706B LDO稳压器 1 A 超低压差
NCP706B是一款超低压差线性稳压器，能够驱动高达1 A的负载电流，同时保持1％的卓越输出精度。输出精度适用于所有温度，负载和线路变化。工作输入电压范围为2
NCV33275 LDO稳压器 300 mA 高PSRR
MC33275系列是微功率低压差（LDO）线性稳压器，提供各种输出电压以及封装，DPAK，SOT-223和SOP-8表面贴装封装。这些器件具有极低的静态电流，
NCV4266-2C LDO稳压器 150 mA 低Iq 高PSRR
NCV4266-2C是一款150 mA输出电流集成低压差，低静态电流稳压器系列，专为恶劣的汽车环境而设计。它包括宽工作温度和输入电压范围。该器件提供3.3 V
NCV4276C LDO稳压器 400 mA 低压差
NCV4276C是一款400 mA输出电流集成低压差（LDO）稳压器系列，专为恶劣的汽车环境而设计。它包括宽工作温度和输入电压范围。该器件提供3.3 V，5.
NCV5504 LDO稳压器 250 mA 低压差
NCV5504低压差（LDO）线性稳压器是一款双输出低压差线性稳压器，在工作温度范围内具有+/- 2.0％的精度。它具有3.3 V的固定输出电压（出厂时已联系
NCV8881 LDO稳压器 1.5 A 低压差
NCV8881由一个降压开关稳压器（SMPS）和一个SMPS输出欠压监控器和CPU看门狗电路组成。此外，还提供两个固定电压低压差稳压器输出，并共享LDO输出电
FNB80460T3 智能功率模块 600 V 4A
FNB80460T3 电路图、引脚图和封装图
FNF51560TD1 智能功率模块 600 V 15A
FNF51560TD1 电路图、引脚图和封装图
FSB50550AB Motion-SPM™（智能功率模块）
FSB50550AB 电路图、引脚图和封装图
FSB50825AB Motion-SPM™（智能功率模块）
FSB50825AB 电路图、引脚图和封装图
NXH80T120L2Q0 功率集成模块（PIM） T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT
NXH80T120L2Q0是功率集成模块，包含一个T型中性点钳位（NPC）三电平逆变器，由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成，带有40 A / 1
LM431SC 可调/ 2.5 V 0.5％容差分流稳压器
LM431SA / LM431SB / LM431SC是可调式三端输出稳压器，在整个工作温度范围内具有热稳定性。通过两个外部电阻，可将输出电压设置为V RE
SCP51460 LDO稳压器 20 mA 超低噪声
SCP51460是一款低成本，低功耗，高精度LDO稳压器。该器件在3.3 V固定输出电压下提供高达20 mA的输出电流，具有出色的稳压特性，是精密稳压器应用的
NLAS5223 模拟开关 双SPDT 0.5欧姆
NLAS5223是采用亚微米硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。该器件是双独立单刀双掷（SPDT）开关，具有0.5欧姆的超低RON，VCC = 3.0
FSA646A 2：1 MIPI D-PHY（4.5Gbps）4数据通道和C-PHY（3.5Gsps）3数据通道开关
FSA646A可配置为四数据通道MIPI，D-PHY开关或三数据通道MIPI，C-PHY开关。这款单刀双掷（SPDT）开关经过优化，可在两个高速或低功耗MIP
FUSB340 USB 3.1 SuperSpeed 10 Gbps开关
FUSB340是一个2：1数据开关，用于5 Gbps数据的USB SuperSpeed Gen1和10 Gbps数据的Gen2。其定位于移动设备市场，并用于可
NS5A4684S 模拟开关 双SPDT 超低电阻
NS5A4684S是采用亚微米硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。该器件是双独立单刀双掷（SPDT）开关，具有0.6Ω的超低R ON 。该部件还具有
LE24CBK23MC 双线串行接口双端口EEPROM（2K + 2K EEPROM）
双端口EEPROM系列由两个独立的存储体组成，每个存储体可以使用专用控制引脚单独控制。两个银行可以分别控制，但共享内部供电系统。此外，该产品采用2线串行接口，是
NL17SH126 同相三态缓冲器
NL17SH126是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS同相三态缓冲器。与同等的双极肖特基TTL相比，它可以实现高速运行，同时保持CMOS低功耗。内部电
FUSB252 高速数字（HSD）端口保护开关含Type-C CC
FUSB252是一款用于USB Type-C应用的集成式端口保护开关。该产品在电压应力达到20 V时保护HSD +/-和CCx引脚。在5.8 V典型电压下，过
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