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豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
2022-06-28
997
Vicor在2022底特律国际汽车设计工程展（WCX）上为xEV呈现最高功率密度的汽车解决方案
2022-03-29
773
英飞凌IPOSIM平台推出功率器件使用寿命评估服务，以简化半导体器件选型
2022-03-22
787
绿色出行：英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%
2022-03-07
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东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
2022-01-26
2354
纳微半导体新一代氮化镓功率芯片全力支持vivo旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机120W氮化镓充电器成功上市
2022-01-19
2806
Microchip持续扩大氮化镓（GaN）射频功率器件产品组合
2021-12-02
1485
ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET
2021-11-30
862
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品
2021-11-05
824
UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET
2021-09-14
751
Maxim发布3相MOSFET栅极驱动器，可最大程度地延长电池寿命并将元件数量减半
2021-08-17
1205
意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管
2021-08-13
3015
英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率
2021-08-06
1917
英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
2021-08-06
1382
适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%，并将PCB占用空间减小80%
2021-08-04
806
Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案取代硅IGBT，现已提供1700V版本
2021-07-28
1590
新品|国内首款兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器SLMi33x
2021-07-19
3836
ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”
2021-07-08
1743
英飞凌推出高性能CIPOS™Maxi智能功率模块(IPMs) IM818-LCC
2021-06-30
1816
Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引脚标准逻辑DHXQFN封装
2021-06-30
1453
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