C2M1000170D为1700 V 分立碳化硅 MOSFET。为下一代电源转换提供更快的开关和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可实现更小、更高效的电源转换系统。与基于硅的解决方案相比；碳化硅技术可提高系统功率密度；更高的开关频率；较小的设计；冷却器组件；减小电感器等组件的尺寸；电容器；滤波器和变压器；和总体成本效益。
优点
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率
特征
• 具有独立驱动源引脚的优化封装
• 漏极和源极之间的爬电距离为 8mm
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 易于并联且易于驱动
• 无卤素，符合 RoHS 标准
应用
• 1500V 太阳能逆变器
• 开关模式电源
• 高压 DC/DC 转换器
• 脉冲电源应用
漏源电压:1700V
栅极-源极电压动态:-10/+25V
栅极-源极电压静态：-5/+20V
脉冲漏极电流：160A
功耗：520W
工作结温和存储温度:-40 to+150˚C
焊接温度:260˚C
相关型号
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
CSD01060E C3D08060A
CSD01060A C3D10060G
C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
C3D02060A C3D20060D
C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E
C3D04060A C6D04065A
C3D06060G C6D06065Q