简介
今天我要向大家介绍的是 Semelab 的晶体管——DMD5028。它非常适合宽带应用，并且具备低反向传输电容的特性。其次，它在增益方面表现出色，拥有至少20dB的共源功率增益。在能效方面，其漏极效率典型值为60%，且具备良好的负载失配耐受能力（20:1 VSWR）。从电气参数来看，其漏源击穿电压（BVDSS）为125V，单侧的饱和漏电流可达18A。为了确保推挽两侧的对称性，该器件的栅极阈值电压匹配误差被控制在0.1V以内，正向跨导典型值为4.8 mhos。
主要特性
功率耗散： 875W (每侧)
漏源极击穿电压 (BVDSS): 125V
栅源极击穿电压 (BVGSS): 18A
零栅压漏源极电流 (IDSS): 6mA
栅极泄漏电流 (IGSS): 6μA
输入电容 (Ciss): 360pF
输出电容 (Coss): 150pF
反向传输电容 (Crss): 9pF
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