D2019UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。
特征
简化的放大器设计
适用于宽带应用
低温
RSS
简单的偏置电路
低噪声
高增益 – 最小 16 dB
镀金
多用途硅
DMOS射频场效应管
100W – 28V – 500MHz
单端
包裹：DP
配置：单端
工作电压：20V
功率输出: 5W
最低效率：50
获得：13
测试频率 ：1GHz
应用范围 ：1-1000MHz
有源FET配置：3
BV(Dss):65V
应用
VHF/UHF 通信
从直流到 2 GHz
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