描述
GTRA360502M有两个GaN-on-SiC功率晶体管用于非对称多赫蒂功率放大器。设备已经设计好了用于通信基础设施应用，从3400兆赫到3800 MHz。它的工作电压高达50伏，并提供最大平均输出功率为8瓦。
特性
GaN on SiC HEMT技术
不对称的多尔蒂设计
—主:P3dB = 20w
—峰值:P3dB = 36w
典型脉冲连续波性能，3600mhz, 48v, 10 μs
带宽，占空比10% (Doherty配置)
-输出功率为P3dB = 50w
-排水效率= 62% @ 50w
人体模型1A类(根据ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
无铅，符合RoHS要求
低的热阻
应用
蜂窝功率放大器
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