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陕西航晶微电子有限公司

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    HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器,内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器,实现单电源+5V供电。该电路内部产生隔离的VCC(+16V~+20 V)正电源电压和VEE(-3V~-6V)负电源电压。HJ393A能将最大500KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号,HJ393B最大输入频率为800KHz,HJ393C最大输入频率为1MHz。由于超宽的禁带能级,使得用SiC材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小,故为了达到额定的ID电流,那么需要的栅源电压要大一些。另外,为了保证在Tj≥250℃下MOS管能够可靠关断,保证高温下输入低电平的噪声容限,SiC-MOS管需要一个负偏压关断,这点类似于IGBT管。该器件可满足SiC-MOS管/IGBT管栅极驱动的要求,确保SiC-MOS管/IGBT管的可靠导通和关断。其最大瞬态峰值驱动电流为4A,且具有较高的隔离度和抗扰度,确保在高频PWM信号和D极高电压的情况下电路可靠工作。主要特点有:

  • 自带DC/DC隔离电源
  • 1800VDC峰值隔离
  • 高共模瞬变抑制:CMTI≥50KV/μS
  • 最高工作温度可达200℃
  • 输入输出信号隔离
  • 0-100%占空比应用
  • 能实现IGBT管/SiC-MOS管的负电压关断
  • 最高工作频率达HJ393A:500KHz,HJ393B:800KHz,HJ393C:1MHz
  • 瞬态峰值驱动电流HJ393A:±9A,HJ393B:-2.5A/+5A,J393C:±1.5A
  • 充放电时间快,延迟时间短:(tr、tf≤50nS)

--- 数据手册 ---