**型号：** SI4429EDY-T1-E3-VB
**丝印：** VBA2311
**品牌：** VBsemi
**技术参数：**
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大承受电压：** -30V
- **最大电流：** -11A
- **导通电阻：** RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- **阈值电压：** Vth=-1.42V
**封装：** SOP8
**详细技术参数说明：**
SI4429EDY-T1-E3-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，其最大承受电压为-30V，最大电流为-11A。其导通电阻在VGS=10V和VGS=20V时分别为10mΩ。阈值电压为-1.42V。此器件采用SOP8封装。
**应用简介：**
SI4429EDY-T1-E3-VB适用于多种功率开关和电源管理应用，提供高性能和可靠性。
**应用示例：**
1. **电源开关模块：** SI4429EDY-T1-E3-VB可应用于电源开关模块，确保电源系统的高效工作。
2. **电动汽车电池管理：** 在电动汽车电池管理系统中，该器件可用于功率开关，提供高效的电池管理。
通过采用SI4429EDY-T1-E3-VB，您能够在各种功率开关和电源管理应用中取得卓越性能和可靠性。