### 产品简介
P2NK90Z-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO252封装设计，具备出色的功率处理能力和可靠的开关特性。该MOSFET拥有900V的漏源击穿电压（VDS），适用于需要高压隔离的场合。它采用了先进的SJ_Multi-EPI技术，确保在高压下依旧能保持低导通电阻（RDS(ON)）和稳定的开关效率，使其非常适用于要求高效和可靠的电源控制应用。
### 详细参数说明
| 参数 | 说明 |
|-------------|-----------------------------------|
| **型号** | P2NK90Z-VB |
| **封装** | TO252 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏源电压 (VDS)** | 900V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V |
| **门限电压 (Vth)** | 3.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2700mΩ @ VGS = 10V |
| **漏极电流 (ID)** | 2A |
| **技术** | SJ_Multi-EPI |
### 应用领域与模块
1. **电源模块：** 适用于高压电源应用，如工业电源和UPS系统等。P2NK90Z-VB的高击穿电压和稳定的导通特性确保在高压电源转换器中的安全性和可靠性。
2. **电机控制：** 在小功率高压电机控制系统中，该MOSFET的高耐压特性能够有效降低电机启动和运行过程中的功率损耗，同时保证控制的稳定性。
3. **照明系统：** 尤其适合在LED驱动器和HID照明系统中应用，其高压耐受性和低漏电流特性有助于提升系统的功率转换效率。
4. **工业自动化设备：** 可用于工业自动化控制中的高压开关电路，实现高效电能转换，适用于驱动或控制高压元件。
这些应用场景充分发挥了P2NK90Z-VB的高电压承受能力和低功耗特性，适合需要在高压、高稳定性下运行的各类模块中。