### 产品简介
P2904BDG-VB是一款高效能的单通道N型MOSFET，采用TO252封装，专为低压应用设计。其出色的RDS(ON)特性和高漏电流能力，使其在电源管理和开关应用中表现优异，是现代电子设备中常见的关键组件。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N型
- **最大漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**：55A
- **技术**：Trench
### 适用领域与模块
P2904BDG-VB广泛应用于各类电源管理系统，例如DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统，其能够承受高达40V的漏源电压，使其在这些应用中具有良好的稳定性。此外，该MOSFET适合用于电机驱动、LED照明和消费电子产品，因其低导通电阻可以显著提高系统效率，降低能量损失和发热。