### 产品简介
05N50E-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,±V)、3.5V的阈值电压(Vth)、1100mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及7A的漏极电流(ID)。该产品采用Plannar技术,适用于中高压应用。
### 参数说明
- **封装:** TO220F
- **结构:** 单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 650V
- **栅极-源极电压(VGS):** 30V(±V)
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 1100mΩ@VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 7A
- **技术:** Plannar
### 应用领域和模块举例
1. **电源逆变器:** 05N50E-VB适用于中高压的电源逆变器,如工业用逆变器和太阳能逆变器等,用于将直流电转换为交流电。
2. **照明驱动:** 在需要处理中高压的LED照明应用中,该产品可用于LED驱动器的功率开关。
3. **电动汽车充电桩:** 由于具有较高的漏极-源极电压和适度的漏极电流,05N50E-VB适用于电动汽车充电桩的电源开关。
4. **工业控制系统:** 在工业控制系统中,需要承受中高压的电源开关和电流控制,例如电机控制、电源管理等,该产品可用于这些应用。
5. **高压电源管理:** 由于具有较高的漏极-源极电压,05N50E-VB适用于需要处理中高压的电源管理应用,如开关电源和DC-DC变换器。