以下是VBsemi公司的MOSFET产品05N50I-VB的详细信息:
1. 产品简介:
05N50I-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Plannar技术制造,适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、1100mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及7A的漏极电流(ID)。
2. 参数说明:
- 型号:05N50I-VB
- 封装:TO220F
- 极性:N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):1100mΩ@VGS=10V
- 漏极电流(ID):7A
- 技术:Plannar
3. 应用举例:
05N50I-VB适用于多种领域和模块,例如:
- 电源管理:适用于中低功率的开关电源和稳压器。
- 照明应用:用于LED照明系统中的功率开关。
- 工业控制:适用于工业自动化和机器人控制等领域的中低功率开关。
- 电动车辆:用于电动车辆中的电机控制和电源管理。
以上是05N50I-VB MOSFET产品的详细信息及其适用领域和模块的举例说明。