6R380C6-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 6R380C6-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介:

VBsemi 6R380C6-VB TO220F 是一款单通道 N 型功率 MOSFET,专为高压功率开关应用而设计。具备650V的漏极-源极电压(VDS),以及最大30V的栅极-源极电压(VGS)范围,适用于要求高效能和可靠性的工业和消费电子设备中的电源管理和功率转换应用。

### 2. 详细参数说明:

- **包装类型(Package)**:TO220F
- **结构配置(Configuration)**:单 N 型通道
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V(典型)
- **导通电阻(RDS(ON))**:320mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:20A
- **技术特性(Technology)**:Plannar(平面晶体管技术)

### 3. 应用举例:

6R380C6-VB TO220F 在多个领域和模块中有广泛应用:

- **电动汽车充电桩**:由于其高达650V的漏极电压和20A的漏极电流能力,这款MOSFET非常适合用于电动汽车充电桩中的功率开关和电源管理单元,支持高效能的充电过程。

- **工业电源转换器**:在工业领域的电源转换器中,特别是需要处理高电压和大电流的应用,如工业机器人、自动化设备等,6R380C6-VB TO220F 可以提供可靠的功率开关解决方案。

- **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统的逆变器中,该型号可以作为关键的功率开关器件,帮助将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,以供电网使用。

这些例子突显了该产品在能源管理、电力转换和工业自动化等领域中的重要作用,展示了其在处理高压和高功率需求下的优越性能和应用灵活性。

--- 数据手册 ---