6R520C6-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 6R520C6-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介详细:

型号:6R520C6-VB  
封装:TO220F  
配置:单N沟道  
耐压(VDS):650V  
栅极-源极电压(VGS):±30V  
阈值电压(Vth):3.5V  
导通电阻(RDS(ON)):320mΩ @ VGS=10V  
漏极电流(ID):20A  
技术:Plannar  

### 2. 详细的参数说明:

- **型号**:6R520C6-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **耐压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:320mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:20A
- **技术**:Plannar

### 3. 适用领域和模块示例:

6R520C6-VB MOSFET适用于多种高压应用场合,以下是一些示例说明其适用性:

- **电动车电池管理**:在电动车电池管理系统中,这款MOSFET能够处理高压和高电流,适合用于电池充放电控制和电动车的驱动系统。

- **太阳能逆变器**:作为太阳能逆变器的关键组件,6R520C6-VB 可以有效地转换和管理太阳能电能,提高太阳能电池板系统的效率和稳定性。

- **电源开关**:在工业设备和通信设备的电源管理系统中,这款MOSFET提供可靠的开关性能和较低的导通电阻,确保设备的稳定运行。

- **UPS(不间断电源)**:作为UPS系统中的关键部件,6R520C6-VB 可以在电网电压不稳定或故障时提供稳定的备用电源转换,保护设备免受电力波动的影响。

以上示例突显了6R520C6-VB MOSFET在多个领域中的应用潜力,展示了其在高压、高功率环境中的优异性能和广泛适用性。

--- 数据手册 ---