### 1. 产品简介
6R380E6-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装。它具有高达650V的漏极-源极电压（VDS），适合中高压应用。此产品采用了 Plannar 技术，结合了可靠性和性能。
### 2. 参数说明
- **封装类型：** TO220F
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON))：**
- 320mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 20A
- **技术：** Plannar
### 3. 应用示例
6R380E6-VB 适用于多种领域和模块，以下是一些示例：
- **电源供应器：** 在需要中等到高电压和电流的电源供应器中，6R380E6-VB 的高电压额定和适中的导通电阻使其能够提供高效率和稳定性。
- **电动车充电器：** 在电动车充电器中，需要处理高电压直流和中等电流的 MOSFET 可以使用 6R380E6-VB，其性能和可靠性能够支持快速充电和长期使用。
- **工业控制系统：** 在工业控制系统中，需要处理各种电力需求的场合，6R380E6-VB 的特性使其成为控制和驱动电路的理想选择。
这些示例展示了 6R380E6-VB 在处理中等到高电压和电流的应用时的优越性能和广泛适用性，通过其 Plannar 技术和优秀的电气特性，支持了多个领域的工业和商业应用需求。