### 1. 产品简介：
VBsemi 76619D-VB 是一款单通道 N 型功率 MOSFET，采用了Trench沟槽结构技术，设计用于中压应用。该器件具备100V的漏极-源极电压（VDS），以及20V的最大栅极-源极电压（VGS）范围。优化的导通电阻和开关特性使其适用于需要中等电流和快速开关的功率控制电路。
### 2. 详细参数说明：
- **包装类型（Package）**：TO252
- **结构配置（Configuration）**：单 N 型通道
- **漏极-源极电压（VDS）**：100V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V（典型）
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 57mΩ @ VGS = 4.5V
- 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**：25A
- **技术特性（Technology）**：Trench（沟槽结构技术）
### 3. 应用举例：
76619D-VB TO252 在以下领域和模块中具有广泛应用：
- **电源逆变器**：适用于中压逆变器中的功率开关和电流控制，可提供高效的能量转换和稳定的输出电压。
- **电动车充电桩**：在电动车充电设施中，用于电池充电控制和电能管理，提供可靠的充电效率和安全性。
- **工业自动化**：用于工业自动化系统中的电机驱动和电源管理单元，确保设备的高效运行和长期稳定性。
以上示例展示了该产品在电源逆变器、电动车充电桩和工业自动化领域中的应用潜力，体现了其在高电压、中电流和低导通电阻要求下的优越性能和广泛适用性。