### 产品简介
**80N10L-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装，具有优秀的电气特性和高功率处理能力。采用了Trench技术，适用于要求高效能和高可靠性的电子应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 80N10L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 23mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电机驱动**
80N10L-VB适用于各种电机驱动应用，如工业自动化中的电动机控制、电动工具和电动车辆中的电机驱动。其低导通电阻和高漏源电压使其能够在高功率要求下有效地控制电机运行。
2. **电源开关**
在电源开关系统中，这款MOSFET可以用作高效的功率开关装置，管理电源的开关和调节，保证系统的稳定性和效率。特别是在电源转换器和逆变器中，其高电流承受能力和低导通电阻非常适合高效能的功率转换需求。
3. **电动汽车充电器**
由于其高电流处理能力和优异的导通特性，80N10L-VB可以作为电动汽车充电器中的开关元件，帮助管理和控制电动车的快速充电过程，同时保持系统的稳定性和安全性。
4. **工业电子**
在工业自动化、电源管理和电子设备中，这款MOSFET可以用于高功率开关和电源调节，如工业机器人、电动工具和自动化控制系统中的电源和驱动器模块。
通过以上示例，可以看出80N10L-VB适用于多种高功率和高效能的电子应用场合，为工程师在设计和实施电子系统时提供了可靠的解决方案。