### 一、产品简介
VBsemi 80N20M5-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装，设计用于高性能电源管理和开关电路应用。具有200V的最大漏源电压和低导通电阻，适合在需要处理高电压和高电流的电子设备和系统中使用。
### 二、详细参数说明
- **型号**: 80N20M5-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 200V
- **最大栅源电压 (VGS)**: 20V (±)
- **阈值电压 (Vth)**: 4V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 7.6mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 三、适用领域和模块
1. **电源模块**
80N20M5-VB 可以用于各种电源模块和开关电源应用，如DC-DC转换器、电动工具、电动车辆的电机驱动控制等。其高电压和大电流承载能力使其能够在需要处理高功率和高效率的电子系统中发挥作用。
2. **电动工具**
在需要高功率输出和快速开关的电动工具中，如电动钻、电锤等，该MOSFET可以作为电机驱动器的关键组成部分，确保设备的高效性能和可靠性。
3. **电动车辆**
80N20M5-VB 在电动车辆的电动控制系统中可以用作电池管理和功率分配的关键元件，支持高功率充放电和电动车辆的动力输出。
4. **工业控制**
在工业自动化和控制领域中，该器件可以用于高压电源转换和电动机驱动，支持机械设备的高效运行和节能优化。
综上所述，VBsemi 80N20M5-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，适用于电源管理、电动工具、电动车辆和工业控制等多个领域，特别适合需要处理高电压和大电流的电子系统应用。