### 1. 产品简介详细
VBsemi MOSFET 96N3LLH6-VB 是一款封装为TO252的单N沟道型MOSFET。具有以下主要特性：
- **VDS (漏极-源极电压)**: 30V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (门槽电压阈值)**: 1.7V
- **RDS(ON) (导通时漏极-源极电阻)**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏极电流)**: 100A
- **技术**: Trench 沟道技术
### 2. 参数说明
- **封装**: TO252
- **电压参数**:
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- **性能参数**:
- 阈值电压 (Vth): 1.7V
- 导通电阻 (RDS(ON)):
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **电流参数**:
- 最大漏极电流 (ID): 100A
- **技术**: Trench 沟道技术
### 3. 应用示例
96N3LLH6-VB MOSFET 可以在多个领域和模块中得到应用：
- **电源管理**: 用于直流-直流转换器（DC-DC converters）、稳压器和电源模块中，实现高效能的功率开关和电流控制。
- **电动工具**: 在高性能电动工具的电源控制模块中，用于马达驱动和电流管理，提供可靠的功率输出和长时间运行。
- **电动车电池管理**: 在电动车的电池管理系统中，用于电池充放电保护和高效的能量转换，提高电池寿命和充电效率。
- **工业自动化**: 在工业设备的电源管理和驱动模块中，用于高效的功率开关和稳定的电压输出，确保设备的可靠性和稳定运行。
以上示例展示了96N3LLH6-VB MOSFET 在电源管理、电动工具、电动车电池管理和工业自动化等领域的广泛应用。