### 产品简介详
**9R1K2C-VB MOSFET**
9R1K2C-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO-247封装，适用于需要高电压耐受和中等电流处理能力的应用场合。采用SJ_Multi-EPI（多重外延技术），结合了高电压特性和低导通电阻，为电源管理和开关电路提供稳定性和高效率。
### 详细的参数说明
- **封装类型**: TO-247
- **晶体管配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 900V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI（多重外延技术）
### 应用领域和模块举例
**工业高压电源**:
9R1K2C-VB适合用作工业高压电源中的开关元件，能够在高压和高电流的环境下稳定工作，例如工业驱动器和高压电动机控制系统。
**电网逆变器**:
在电力电子设备中，特别是电网逆变器系统中，9R1K2C-VB的高电压耐受和低导通电阻特性使其成为转换电力和提供稳定电压的重要组成部分。
**医疗设备**:
在需要高效能和稳定性能的医疗设备中，例如高压X射线发生器和核磁共振设备中，9R1K2C-VB可以提供可靠的功率开关控制，确保设备运行的稳定性和安全性。
**电动车充电设施**:
在电动车充电设施中，特别是需要高功率充电和快速充电的场合，9R1K2C-VB能够承受高压和高电流，提供可靠的电源开关和电流控制。
综上所述，9R1K2C-VB MOSFET因其高压耐受和优异的导通特性，在多种高压电源管理和开关控制应用中都能发挥关键作用，为各种领域的电子设备和系统提供可靠的功率解决方案。