### 一、产品简介
**AUIRFZ48ZS-VB** 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装。它设计用于高电流和高效率的开关应用，具有60V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为1.7V，这使得该MOSFET在较低的栅源电压下也能有效导通。AUIRFZ48ZS-VB具有低导通电阻，分别为12mΩ（在VGS=4.5V时）和11mΩ（在VGS=10V时），提供优良的电流传输性能。最大连续漏极电流（ID）可达75A，采用Trench技术优化了导通性能和热管理，适用于多种高电流应用场景。
### 二、详细参数说明
1. **型号：** AUIRFZ48ZS-VB
2. **封装：** TO263
3. **配置：** 单N沟道
4. **漏源电压（VDS）：** 60V
5. **栅源电压（VGS）：** ±20V
6. **阈值电压（Vth）：** 1.7V
7. **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
8. **连续漏极电流（ID）：** 75A
9. **技术：** Trench
### 三、适用领域和模块举例
**AUIRFZ48ZS-VB** MOSFET在多个领域和模块中具有广泛应用。在汽车电子领域，这款MOSFET适用于电动窗、座椅控制和车载电源管理系统，提供高效的电流开关能力和稳定的性能。在计算机和通信设备的电源模块中，它能够用于高效的电源转换，减少功耗并提升系统效率。在家电产品中，如洗衣机、空调等，该MOSFET可用于电机驱动和功率调节，保证设备的可靠运行。此外，在电池管理系统和功率放大器中，AUIRFZ48ZS-VB的高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想选择，能够提升系统的整体性能和可靠性。