BSC12DN20NS3 G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BSC12DN20NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

BSC12DN20NS3 G-VB 是一款高电压、高功率单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装。设计用于处理高电压和大电流应用,BSC12DN20NS3 G-VB 的漏源电压(VDS)达到200V,栅源电压(VGS)为20V(±)。其阈值电压(Vth)为3V,导通电阻(RDS(ON))在10V栅极驱动下为38mΩ,漏极电流(ID)高达30A。采用Trench技术制造,BSC12DN20NS3 G-VB 提供了优异的开关性能和高效的功率处理能力,适合用于需要高电压和高功率的各种应用场景。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**:DFN8(5X6)
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:200V
- **栅源电压 (VGS)**:20V(±)
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 38mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:30A
- **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块示例

1. **高电压电源管理**:
  BSC12DN20NS3 G-VB 在高电压电源管理系统中表现优异,如高电压DC-DC转换器和电源开关模块。其高电压耐受能力和稳定的功率处理能力确保了系统的高效能和稳定性,适合于高电压负载的应用场景。

2. **电力逆变器**:
  在太阳能逆变器和其他电力逆变器应用中,BSC12DN20NS3 G-VB 提供了高电压处理能力和高效的开关控制,适合于高功率电力转换,提升逆变器的效率和可靠性。

3. **工业电源控制**:
  工业自动化设备中的电源控制系统,如大功率电机驱动器和电源调节器,使用BSC12DN20NS3 G-VB 可以有效地处理高电压和大电流,确保设备的稳定性和高效运行。

4. **家用电器**:
  对于高电压家用电器中的应用,如高功率电热器和大功率电机控制,BSC12DN20NS3 G-VB 能够提供稳定的电流控制和低功耗运行,提升电器的性能和安全性。

5. **通信基础设施**:
  在通信设备的电源模块中,尤其是需要高电压和高功率的电源开关和功率放大器应用,BSC12DN20NS3 G-VB 能够提供可靠的开关性能和高效的功率处理,改善设备的整体性能和稳定性。

--- 数据手册 ---