### AUIRLR120NTR-VB 产品简介
AUIRLR120NTR-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装。该MOSFET 采用先进的沟槽技术制造，具备较高的漏源电压和良好的电流处理能力。其漏源电压高达100V，漏极电流能力为15A，使其在需要较高电压和适中电流处理的应用场景中表现稳定。AUIRLR120NTR-VB 的导通电阻相对较高，适合用于中低功率的应用，提供稳定的电流控制和可靠的性能。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道类型**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术类型**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
1. **电源管理**:
- **中功率DC-DC转换器**: AUIRLR120NTR-VB 可以在中功率DC-DC转换器中用作功率开关。其高漏源电压允许在较高电压环境下工作，而较高的导通电阻则适合于功率要求适中的应用。
- **电源开关**: 在电源开关模块中，这款MOSFET 可以有效控制电流流动，并处理一定的电流负载，适合用于中等功率的开关应用。
2. **电机控制**:
- **中功率电机驱动**: AUIRLR120NTR-VB 适用于中功率电机驱动系统中。虽然其电流能力较低，但足以满足中等负载的电机控制需求。
- **步进电机控制**: 在步进电机驱动模块中，该MOSFET 提供稳定的电流控制，适合用于中功率的步进电机应用。
3. **汽车电子**:
- **汽车开关电路**: 在汽车电子系统中，AUIRLR120NTR-VB 可以用于开关电路中控制中等功率的负载。其较高的漏源电压适合汽车电气系统的需求。
- **车载电池保护**: 该MOSFET 可用于车载电池的保护电路中，处理较高电压和适中电流的应用，确保电池系统的安全性和可靠性。
AUIRLR120NTR-VB 的高电压和适中电流处理能力使其适合在中功率应用中发挥作用，尤其在电源管理、电机驱动和汽车电子系统中表现稳定。