**产品简介:**
BSH112-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封装为 SOT23-3,适用于中等电压的小型开关应用。该 MOSFET 的 VDS(漏极-源极最大电压)为 60V,最大栅源极电压 VGS 为 ±20V,漏极电流 ID 达到 0.3A。其导通电阻 RDS(ON) 为 3100mΩ(在 VGS=4.5V 时)和 2800mΩ(在 VGS=10V 时),采用沟槽型工艺技术,适合用于需要中等电流和高耐压的小型开关电路。
**详细参数说明:**
- **封装**: SOT23-3
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压(VDS)**: 60V
- **栅源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V;2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例:**
1. **小型电源开关**:在小型电源管理和开关电路中,BSH112-VB 的中等导通电阻和较高的 VDS 使其适用于低功耗开关应用,如小型电源开关和保护电路。
2. **低功耗电子设备**:用于低功耗电子设备和便携式设备中,BSH112-VB 能够提供足够的电流处理能力,适合用于需要空间有限的设计。
3. **信号开关**:在信号开关和模拟电路中,该 MOSFET 可用作开关控制,支持中等电压和电流的应用,适合用于小型、低功耗的电路设计。