特点
AO6608结合了先进的沟槽MOSFET
采用低电阻封装技术，提供
极低的RDS（ON）。该设备非常适合负载
开关和电池保护应用。
•符合RoHS和无卤素标准
AOS/美国万代 AO6608 TSOP-6 场效应管
型号:
AO6608
深圳市宏源世纪科技有限公司
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特点
AO6608结合了先进的沟槽MOSFET
采用低电阻封装技术，提供
极低的RDS（ON）。该设备非常适合负载
开关和电池保护应用。
•符合RoHS和无卤素标准
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