特点
NCE40P70K采用先进的沟槽技术
设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）。这个
该器件非常适合高电流负载应用。
描述
●VDS=-40V，ID=-70A
RDS（ON）<10mΩ@VGS=-10V
●超低Rdson的高密度电池设计
●完全表征雪崩电压和电流
●具有高EAS的良好稳定性和均匀性
●良好的散热包装
●高ESD能力的特殊工艺技术
NCE/新洁能 NCE40P70K TO-252场效应管
型号:
NCE40P70K