上海贝岭原厂分销-粤华信科技供应 BL9342 SOT23-6 40V600mA DC-DC降压芯片
BL9342 是一款高频（1.8MHz）降压开关稳压器，集成了高端高压功率 MOSFET。它提供单路高效输出，最大电流 0.6A，并在电流模式控制下实现快速环路响应。宽输入电压范围（4.2V 至 40V）可满足各种降压电源转换应用，低关断电流特性适用于电池供电场景。在轻负载条件下，通过降低开关频率可减少开关和栅极驱动损耗，实现宽负载范围内的高效功率转换。频率折叠技术有助于防止启动时电感电流失控，热关断功能则提供可靠的容错操作。
特性
- 230μA 工作静态电流
- 4.2V 至 40V 宽工作电压范围
- 500mΩ 内部功率 MOSFET
- 1.8MHz 固定开关频率
- 内部补偿
- 陶瓷输出电容稳压
- 内部软启动
- 无需采样电阻的精密限流
- 最大效率可达 90%
- 低关断电流
应用 - 高压功率转换
- 仪器仪表
- 工业电源系统
- 分布式电源系统
- 电池供电系统
封装 - 引脚 SOT23-6 封装
- BST（自举引脚）：内部浮置高端 MOSFET 的驱动正电源端。需在此引脚与 SW 引脚之间连接一个旁路电容。
- GND（接地）：接地端应尽可能靠近输出电容连接，以避开大电流开关路径。
- FB（反馈）：误差放大器的输入端。连接至输出端和地的外部电阻分压器会与 + 0.794V 的内部基准电压比较，以设定稳压值。
- EN（使能输入）：当引脚电压低于指定阈值时，芯片关断；高于阈值时，芯片工作。悬空时芯片关闭。可连接 100kΩ 电阻至 VIN 以自动开启。
- VIN（电源输入）：为所有内部控制电路（包括开关管）供电。需连接接地去耦电容以降低开关尖峰。
- SW（开关引脚）：高端开关输出端。需连接低正向压降的肖特基二极管至地，以减小开关尖峰。
脉宽调制控制
在中等至较大输出电流条件下，电路工作在固定频率和峰值电流控制模式，以调节输出电压。PWM周期由内部时钟产生，功率MOSFET一直导通，直到其电流达到COMP电压的设定值。当功率管关断时，在下一个周期开始前，它将保持关断至少100纳秒。在一个PWM周期内，如果MOSFET管中的电流未达到COMP设定的电流值，功率MOSFET将保持导通，从而节省一次开关操作。
脉冲跳变模式
在轻载时，电路进入跳脉冲模式以提高轻载效率。跳脉冲的判断基于其内部的COMP电压。如果COMP引脚电压低于内部休眠阈值，就会产生一个暂停指令，阻止时钟脉冲开启，从而使功率MOSFET无法按指令导通，这样可以节省驱动和开关损耗。这个暂停指令还会使整个芯片进入休眠模式，并消耗极低的静态电流，以进一步提高轻载效率。
当比较器（COMP）电压高于休眠阈值时，暂停信号复位，芯片恢复正常的脉宽调制（PWM）运行。每次暂停指令状态从低电平变为高电平，会立即产生一个导通信号来开启功率MOSFET。
误差放大器
误差放大器由一个内部运算放大器以及连接在其输出端（内部COMP节点）与负输入端（FB）之间的阻容反馈网络组成。当FB低于其内部参考电压（REF）时，运算放大器会将COMP驱动至更高电平，从而导致更高的开关峰值电流输出，进而有更多能量传输至输出端，反之亦然。
通常情况下，反馈引脚（FB）连接到一个由上拉电阻（RUP）和下拉电阻（RDN）组成的分压器，其中下拉电阻（RDN）连接反馈引脚（FB）和地，而上拉电阻（RUP）连接电压输出节点和反馈引脚（FB）。同时，上拉电阻（RUP）与内部补偿RC网络共同控制误差放大器的增益。
内部稳压源
大多数内部电路由内部2.6V稳压器供电。稳压器输入为VIN，可在整个\(VIN\)范围内工作。当\(VIN\)大于4.0V时，稳压器正常输出。当VIN低于4.0V时，输出也会降低。
使能控制
该电路有一个特殊的使能控制端EN。当VIN足够高时，可通过EN端使能和禁用芯片。高电平有效。下限阈值为1.6V。回差为0.6V。当处于暂停状态时，EN端内部接地，芯片被禁用。当EN端被拉至0V时，芯片进入最低关断电流模式。当EN端电压高于0V但低于其阈值时，芯片仍处于关断模式，但关断电流会略有增加。
欠压锁定（UVLO）
输入电压的欠压锁定（UVLO）可保护芯片在电源电压不足的情况下不工作。
内部软启动
采用软启动来防止转换器的输出电压在启动时过冲。芯片启动时，内部电路会产生一个软启动电压（SS），该电压从0V开始，由软启动时间设定且上升速度缓慢。当它低于内部基准电压REF时，SS为主要参考，误差放大器使用SS而非REF作为参考。当SS高于REF时，REF起主导作用。SS也与FB相关。SS可以远低于FB，但只能略高于FB。如果FB意外下降，SS也会跟踪FB的下降。此功能旨在应对短路恢复情况。当短路消除后，SS的上升过程就如同重新启动软启动过程，可防止输出电压过冲。