泽攸科技ZEL304G电子束光刻机（EBL）是一款高性能、高精度的光刻设备，专为半导体晶圆的高速、高分辨率光刻需求设计。该系统采用先进的场发射电子枪，结合一体化的高速图形发生系统，确保光刻质量优异且效率卓越。标配的高精度激光干涉样品台能够满足大行程高精度拼接和套刻需求，为复杂实验和生产任务提供可靠支持。其核心优势在于卓越的成像能力和灵活的扫描模式，可实现多种矢量扫描方式，包括顺序扫描、循环扫描和螺旋型扫描，同时支持多图层自动曝光与场校准功能，满足多样化的工艺要求。此外，设备兼容多种图形文件格式，并可通过选配附件（如UPS不间断电源和主动减震台）进一步提升运行稳定性。无论是新材料研究、前沿物理探索，还是半导体、微电子、光子学及量子技术领域的应用，ZEL304G均表现出色，是科研与工程领域的理想选择。
• 产品特色
▲ 激光干涉样品台：先进的激光干涉样品台，满足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 场发射电子枪：高分辨场发射电子枪是光刻质量的重要保证
▲ 图形发生器：在保证超高速扫描的同时实现超高分辨率图案绘制
• 样品台指标
样品台指标 | |||
标配 | 激光干涉样品台 | ||
样品台行程 | ≤105 mm | ||
电子枪及成像指标 | |||
肖特基场发射电子枪 | 加速电压20V~30kV；旁侧二次电子探测器和镜筒内电子探测器 | ||
图像分辨率 | ≤1nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1kV | ||
束流密度 | > 5300A/cm2 | ||
最小束斑尺寸 | ≤2nm | ||
光刻指标 | |||
电子束闸 | 上升沿<100ns | ||
写视场 | ≤500×500um | ||
最小单次曝光线宽 | 10 ±2nm | ||
扫描速度 | 25 MHz / 50 MHz | ||
图形发生器参数 | |||
控制核心 | 高性能FPGA | 停留时间最小增量 | 10ns |
最大扫描速度 | 50MHz | 图形文件格式 | GDSII、DXF、BMP等 |
D/A分辨率 | 20位 | 法拉第杯束流测量 | 包含 |
支持的写场大小 | 10um~500um | 临近效应校正 | 可选项 |
束闸支持 | 5V TTL | 激光干涉位移台 | 可选项 |
扫描方式 | 顺序扫描（Z型）、循环扫描（S型）、螺旋型扫描等多种矢量扫描模式 | ||
曝光模式 | 支持场校准、场拼接，支持套刻，支持多图层自动曝光 | ||
外接通道支持 | 支持电子束扫描、工件台移动、束闸通断、二次电子检测 | ||
• 应用案例
▲均匀性测试
▲场拼接（游标卡尺测量）和最小线宽测试
▲HSQ胶
▲PMMA胶
▲厚胶测试
▲长光栅无缝拼接
▲电子束邻近效应校正功能 · 剂量校正效果
▲剂量校正前后对比
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系泽攸科技咨询。