产品简介
DIODES 的 D2V5F4U8MR 这款 瞬态电压抑制器旨在保护低电压。它专门设计用于保护连接到高速数据和传输线路的敏感组件免受 ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和 FET（快速电瞬变）引起的过压影响。
产品规格
品牌 DIODES
型号 D2V5F4U8MR
名称 ESD保护 二极管
产地 台湾
封装 SO-8
产品参数
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 80
AEC Qualified Yes
Configuration Quad (Uni-Directional)
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 2.1 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 2.5 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 2.7 V
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 20 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) ±8 kV
主要特征
保护两线对（四线）
低电容 < 3pF，适用于高速接口
低工作电压和钳位电压
IEC 61000-4-2，4 级（ESD），> ±15KV（空气）；> ±8KV（接触）
IEC 61000-4-5，3 级（闪电），48A (8/20µs)
相关型号
D24V0S1U2TQ
D24V0S1U3LP20
D24V0S1UG3LP20
D26V0H1U2LP16
D26V0H1U2LP20
D26V0S1U2LP20
D26V0S1U3LP20
D28V0H1U2P5Q
D2V5F4U8MR
D2V5H1BS2LP
D2V5H1BS2LP4
D2V5L1BS2LP
D2V5L1BS2LP3
D2V5L1BS2LP4
D2V8F4U8MR
D30V0S1U3LP20
D30V0S1UG3LP20
D33V0S1U2LP1608
D33V0S1U2LP1610
D34V0H1U2LP
D36V0L1B2LP
D36V0S1U2LP1610
D36V0S1U2LP1610Q
D3V3AP2WF
D3V3F4U10LP
D3V3F4U10LPQ
D3V3F4U6S
D3V3F4U8MR
D3V3F8U9LP3810
D3V3H1B2LP
D3V3H1B2LPQ
D3V3H1U2LP
D3V3HN1B2LP
D3V3L1B2LP3
D3V3L1B2LP3Q
D3V3L1B2T
D3V3L1B2WS
D3V3L2B3LP10
D3V3L2BS3LP
D3V3L2BS3LPQ
D3V3L4BS4LP1308